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    Product laser
    
                產(chǎn)品中心
            
    
        
    
    
    
    
    
        
    
    

    

     
 

    
  
  
    

    



        
    
            
    

              
               
    
                  
    
					
      
                      
                      
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    晶圓激光隱切設(shè)備
    
                    
    產(chǎn)品簡介
    
                    
    該設(shè)備可通過精密控制及激光內(nèi)部改質(zhì)技術(shù)，使得晶圓切割后裂片擴(kuò)膜成單顆小芯片，以便實現(xiàn)后續(xù)的晶圓封測。
    
					
                    
					
                  
    
                  
    
               
    
			
    
                
    
                  
      
                     
                        
                       
                       
                      
                       
                       
                      
                       
                       
                        
                       
                  
    
                
    
                 
                    
    
                      
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
                      
    
                        
    
	兼容性好，可同時切割4~12寸及不同厚度的晶圓

    

    
	支持藍(lán)寶石、硅、碳化硅、鉭酸鋰等襯底材質(zhì)

    

    
	良好的定位精度及重復(fù)定位精度

    

    
	切割質(zhì)量高，直線度好，無崩邊、裂痕

    

    
	切割區(qū)域影響小，切割道≤20μm

    
                      
    
                    
    
                 
                 
                    
    
                      
    應(yīng)用領(lǐng)域
    
                      
    
                        半導(dǎo)體芯片封裝
                      
    
                    
    
                 
                 
                    
    
                      
    技術(shù)指標(biāo)
    
                      
    
                        
    
	
		
    
			
				設(shè)備型號
			
			
				DR-S-WLNC100
			
			
				DR-S-WLNC300
			
		
    
		
    
			
				設(shè)備尺寸
			
			
				1,750mm(W) x 2,250mm(D) x 2,250mm(H)
			
		
    
		
    
			
				適用晶圓尺寸
			
			
				6寸及以下
			
			
				8寸、12寸
			
		
    
		
    
			
				適用晶圓厚度
			
			
				60μm to 400μm
			
		
    
		
    
			
				平臺精度
			
			
				重復(fù)定位精度≤ ±1μm；定位精度<±3μm；
			
		
    
		
    
			
				直線度
			
			
				≤ 5 μm
			
		
    
		
    
			
				切割路徑寬度
			
			
				≤ 20 μm
			
		
    
		
    
			
				TTV
			
			
				≤ 10 μm
			
			
				≤ 15 μm
			
		
    
	    

    
                      
    
                    
    
                 
                  
                    
    
                      
    應(yīng)用案例
    
                      
    
                        
      
                          
                          
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