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IGBT/SiC激光退火設(shè)備

產(chǎn)品簡介

精確的單/雙脈沖控制，對離子注入后的硅基IGBT圓片背面進行激光快速退火，實現(xiàn)激活深度，有效修復(fù)離子注入破壞的晶格結(jié)構(gòu)。

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產(chǎn)品特點

激活深度≥7μm

單位小時產(chǎn)出＞25 @8"

優(yōu)異的方阻均勻性和表面顏色

完整的全程監(jiān)控反饋能力

支持超薄片、TAIKO片、翹曲片退火

具備激光輔助加熱系統(tǒng)

應(yīng)用領(lǐng)域

標準晶圓、平邊晶圓、Notch晶圓、Taiko晶圓

技術(shù)指標

設(shè)備型號	DR-S-LA200S	DR-S-LA300S	DR-S-LA200D	DR-S-LA300D
適用晶圓尺寸	6/8寸兼容	8/12寸兼容	6/8寸兼容	8/12寸兼容
激光能量密度	≥5J/cm2	≥5J/cm2	≥5J/cm2	≥5J/cm2
激光穩(wěn)定性	≤ 2%，RMS
激活率	≥95% @B Implant，≥90% @P Implant
均勻性	片內(nèi)：≤1%，片間：≤1%，@8"，RS
潔凈度控制	≤30 @ 0.5μm，≤5 @ 1μm
自動傳片系統(tǒng)	雙晶圓裝載口、多關(guān)節(jié)機器手、預(yù)準直器

應(yīng)用案例